硅酸镓镧 (La₃Ga₅SiO₁₄,LGS)晶体
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外壳尺寸
Dia.30×65mm
晶体尺寸
8×8×45mm
1/4波电压
3.2kV
消光比
>350:1
透过畸变
λ/6@632.8nm
峰值透过率
>98%
电极间隔离性
<1
光洁度
20-10(膜后40-20)
电容
9pF
镀膜
AR/AR@1064nm(R<0.2%)
抗光伤
600MW/cm²,10ns,10Hz,1064nm
整体透过率
>98%
LGS晶体具有宽的透过波段,从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。LGS晶体采用提拉法生长,熔点是1470℃,在生长温度至室温没有相变点,生长周期短,可以生长出较大尺寸晶体,有旋光性,但比石英小。
可应用于电光调制、电光调Q。LGS电光开关可用于高重复频率,高输出能量,应用范围广。
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