硅酸镓镧 (La3Ga5SiO14,LGS)晶体
2产品LGS晶体具有宽的透过波段，从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。LGS 晶体采用提拉法生长，熔点是1470 ℃ ，在生长温度至室温没有相变点，生长周期短，可以生长出较大尺寸晶体，有旋光性，但比石英小。
可应用于电光调制、电光调Q。LGS电光开关可用于高重复频率，高输出能量，应用范围广。
光洁度
20-10(膜后40-20)
外壳尺寸
Dia.30×65mm
电极间隔离性
＜1
晶体尺寸
2×2-8×8mm
整体透过率
＞98%@1064nm
电容
9 pF
镀膜
AR/AR@1064nm (＜0.2%)
抗光伤
600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm