BBO 电光Q 开关双晶 Dia.25×55mm³

相对于传统的KD*P电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于RTP电光调制晶体，BBO晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性，有利于提高激光输出功率的稳定性。
因此，由BBO晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率（1MHz），高功率（高达1000W）的电光调Q固体激光器，腔倒空调Q激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大激光系统中，我们也提供配套的调制、调Q、选单、再生放大等驱动电源。由于电光Q开关的关断时间（＜4ns）远短于声光Q开关的关断时间（＜100ns），因此，采用BBO电光Q开关的全固态短腔调Q激光器可产生脉冲宽度小于4ns的高能激光，是作为电光内雕机的首选光源。在无需水冷的情况下，BBO电光Q开关可关断并承受高达150W的腔内振荡光功率（激光输出功率高达50W）。
BBO晶体缺点是电光系数小，半波电压相对较高，因此可通过增长晶体长度、减少电极间距，以及采用两块BBO晶体串联方式来减少半波电压和四分之波电压。

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