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BBO 电光Q 开关 (BBO 普克尔盒)

BBO 电光Q 开关 (BBO 普克尔盒)

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相对于传统的KD*P 电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP 电光调制晶体,BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性,有利于提高激光输出功率的稳定性。
因此,由BBO 晶体制成的电光Q 开关常被应用于高重复频率(1MHz),高功率(高达1000W)的电光调Q 固体激光器,腔倒空调Q 激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大激光系统中,我们也提供配套的调制、调Q、选单、再生放大等驱动电源。由于电光Q 开关的关断时间(<4ns)远短于声光Q 开关的关断时间(<100ns),因此,采用BBO 电光 Q 开关的全固态短腔调Q激光器可产生脉冲宽度小于4ns 的高能激光,是作为电光内雕机的首选光源。在无需水冷的情况下,BBO 电光Q 开关可关断并承受高达150W 的腔内振荡光功率(激光输出功率高达50W)。
BBO 晶体缺点是电光系数小,半波电压相对较高,因此可通过增长晶体长度、减少电极间距,以及采用两块BBO 晶体串联方式来减少半波电压和四分之波电压。
平面度
λ/8@632.8nm
透过畸变
λ/8@632.8nm
截面
1×1~12×12mm² (其他尺寸可订制)
长度
20mm-28mm (其他尺寸可订制)
定向精度
10 arcmin
光学平行
20 arcsec
侧垂
10 arcsec
光洁度
10-5 膜后40-20
端面镀膜
AR/AR@1064nm (R<0.2%)
 
 
消光比
使用波长
损伤阈值(10ns 10Hz 1064nm)
电容
产品编号
消光比
使用波长
损伤阈值(10ns 10Hz 1064nm)
电容
货期
对比
价格
购买
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
2.2pF
现货
¥8,462.00
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
2.2pF
现货
¥9,231.00
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
3pF
现货
¥7,692.00
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
3pF
现货
¥8,462.00
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
4pF
现货
¥8,462.00
1000:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
4pF
现货
¥10,012.00
>500:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
6pF
现货
¥18,462.00
>500:1
1030nm-1064nm
600MW/cm²
7pF
现货
¥23,077.00
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