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DKDP 电光Q开关单晶 Dia.19×30mm³
价格
¥2,308.00
产品型号
390036
公益产品
货期
现货
快递/邮费
顺丰速运(满500包邮)
配件
电容
5pF
消光比
1000:1
透过率
>98.5%
使用波长
1030nm-1064nm
λ/4电压 (@ 1064 nm)
3.2kV
损伤阈值(10ns 10Hz 1064nm)
350MW/cm²
晶体尺寸
Dia.8×16mm³
通光孔径
8mm
外壳尺寸
Dia.19×30mm³
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磷酸二氘钾DKDP(KD*P)晶体光学损耗低,消光比高,电光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体(DKDP)利用其纵向效应制成电光调Q开关,适合用于脉冲固体激光器、低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域,但是因为DKDP晶体电光应用的缺点是四分之波电压比较高,1KHz以上有振铃效应,我们可提供DKDP电光调制器、DKDP单晶、双晶电光开关等产品。因DKDP晶体本身的易潮解性以及机械性能较差,建议使用时需注意在以下操作环境下使用:温度操作范围:10~50度,温度变化每20分钟不宜超过5度,环境湿度:<40%,尽量搭配湿度控制装置(干燥器皿及干燥剂)使用,不使用时请存储于干燥箱内。
注:由于DKDP普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关,在1064nm波长下,四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC,所需四分之一波长电压升高约50V。即,dV/dT约为+50V/ºC。
注:由于DKDP普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关,在1064nm波长下,四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC,所需四分之一波长电压升高约50V。即,dV/dT约为+50V/ºC。
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