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掺氧化镁铌酸锂(MgO-LN)电光Q开关

掺氧化镁铌酸锂(MgO-LN)电光Q开关

3产品
光学级掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体以及铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解,半波电压低;其缺点是消光比低,抗损伤阈值低,常被应用于低重复频率(100Hz)。MgO:LN以及LN电光调Q开关常被应用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中,适应于低功率调Q输出、尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。
联合光科推出LN电光开关和电光调制器可为客户提供最紧凑的小体积设计、改变外壳图纸等,以便于最终调试和应用。
平面度
λ/8@632.8nm
光洁度
10-5 膜后20-10
光学平行
<20 arcsec
侧垂
<5 arcsec
最大截面
20×20mm²
最小截面
4×1mm²
长度最大
60mm
长度最小
5mm
定向
10分
透过畸变
λ/4@632.8nm
输入/输出端镀膜
300-3000nm可订制
质量有效期
一年
透过率
电容
消光比
外壳尺寸
产品编号
透过率
电容
消光比
外壳尺寸
货期
对比
价格
购买
>99%
14pF
300:1
Dia. 30×26mm³
现货
¥4,616.00
>99%
14pF
300:1
Dia. 25×33mm³
现货
¥3,077.00
>99%
14pF
300:1
18×17×20mm³
现货
¥3,846.00
暂无更多产品
暂无产品
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