InGaAs铟镓砷近红外相机工作波段在 950nm-1700nm，涵盖了1550nm波长，具有高帧速和高分辨率，优化的制冷设计带来低噪声和高稳定性，可应用于硅晶元，光通讯，光通信，EL，PL，电致发光，光致发光等检测应用中。
